青铜剑科技发布全碳化硅器件解决方案，助力新能源汽车产业发展

碳化硅功率器件具有低损耗、高频率等特点，广泛应用于新能源发电、新能源汽车、轨道交通和智能电网等领域，发展潜力极大、市场空间广阔。基本半导体充分发挥企业在碳化硅器件材料制备、芯片设计、制造工艺、封装测试、驱动应用等产业链布局的独特优势，自主研发的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等产品已达到国际领先水平。

一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车，至今已累计无故障行驶150天、运行里程超过1万公里，是企业乃至行业在坚持自主创新、芯片国产化道路上一座重要的里程碑。

基本半导体推出的车规级全碳化硅功率模块，内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管，通过单面水冷散热形式为高效电机控制器设计提供便利。产品充分发挥碳化硅功率器件的性能优势，采用最新的碳化硅MOSFET设计生产工艺，栅极电输入电容、内部寄生电感、热阻等多项参数达到业内领先水平。

根据不同应用需求，青铜剑科技针对不同厂家的碳化硅器件配套推出了碳化硅MOSFET驱动方案，具有60kHz至100kHz高工作频率、100kV/μs高抗干扰能力、快速短路保护响应等特点。青铜剑科技碳化硅MOSFET驱动方案有助于充分发挥碳化硅功率器件高温、高频、高压的优势，可广泛应用于汽车的传动系统、电池充电器、直流变换器，以及工业的光伏逆变器、马达驱动器、不间断电源、开关模式电源等领域。